News release: Identifying imperfections with Raman spectroscopy (pdf)

Velikost datoteke: 2,25 MB Jezik: English

An article in Compound Semiconductor magazine, October 2015, describes how Raman spectroscopy allows routine mapping of SiC wafers in little more than an hour.

Za to vrsto datotek je potreben pregledovalnik, ki ga dobite brezplačno na naslovu Adobe

Niste našli iskane vsebine?

berätta vad du inte hittade så gör vi vårt bästa för att hjälpa till